プロフィール

近藤 博基

近藤 博基

学歴

1994.03
名古屋大学工学部応用物理学科卒業
1996.03
名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程 結晶材料工学専攻修了
1999.03
名古屋大学大学院工学研究科博士課程後期課程 結晶材料工学専攻修了
博士（工学）  名古屋大学

職歴

1999.04
富士通株式会社・研究員（株式会社富士通研究所）
2002.07
名古屋大学 大学院工学研究科・助手
2006-2011
高輝度光科学研究センター・外来研究員
2009.08
名古屋大学 大学院工学研究科・特任准教授
2010-2013
大阪大学接合科学研究所・共同研究員
2011.10
名古屋大学 大学院工学研究科・准教授
2017-2023
あいちシンクロトロン光センター・支援協力教職員
2019.04
名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター・准教授
2023.11-
九州大学 システム情報科学研究院・教授
2024.01-
名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター・客員教授

学会活動

  1. Electrochemical Society, Associated board member of Dielectric Science and Technology (DST) division (2022年〜現在)
  2. American Vacuum Society: International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF), Session B2, Program board member (2022年〜現在)
  3. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会: ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会・委員長(2019年度〜現在)
  4. 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会: 幹事(2018〜2019年度))
  5. 応用物理学会東海支部: 庶務幹事（2015年度），庶務幹事補佐（2023年度），研究会担当（2014年度〜現在），基礎セミナー担当（2014年度〜現在）
  6. プラズマ・核融合学会　専門委員会「プラズマによる生体電荷制御の科学」（2019〜2022年度）
  7. 電気学会「放電・プラズマ・パルスパワーにおける計測技術の現状と将来について調査専門委員会」委員（2023年度〜現在）
  8. Dry process symposium (DPS), プログラム委員・実行委員 (2010年度〜現在)
  9. International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma / IC-PLANTs), プログラム委員・実行委員 (2010年度〜現在)
  10. プラズマソサエティ，世話人（2022年度〜現在）
  11. グリーン・ＤＸプラズマコンソーシアム（CGDP）, 設立世話人（2022年度〜現在）

研究内容

AIの進化，量子コンピューティングとの融合を実現するデバイス・プロセス科学

皆さんの手元のスマートフォンの中に，どんな形のトランジスタが，何個入っているか知っていますか？もはや教科書に載っている金属／酸化膜／シリコン（MOS構造）の縦積み構造は存在せず，設計指標にして数ナノメートル（DNA螺旋と同じくらい）のトランジスタが200億個も搭載されています．今後ますます微細化・高集積化され，量子コンピュータとの融合も進む未来エレクトロニクスの実現のため，原子層オーダーでの薄膜・表面反応の科学と，ナノデバイスが劣化するダイナミクスを研究します．

AIの進化，量子コンピューティングとの融合を実現するデバイス・プロセス科学
研究テーマ１

ラジカル励起原子層プロセス科学

シリコントランジスタは数nmサイズとなり，金属，酸化膜，シリコンを原子レベルで制御して積層する技術が必要になっています．更に量子デバイスでは，結晶格子の僅かな乱れすら，量子状態を乱すノイズ要因となることがわかっています．活性種による反応励起で低温成膜できるプラズマ・ラジカルプロセスはデバイス作製に必須ですが，多様な活性種が関与する複雑な反応は制御や理解が困難です．活性種と表面反応のリアルタイム計測と，機械学習など情報学を駆使した解析で，これら非平衡反応場を定量的に読み解き，材料とプロセスにイノベーションを起こします．

ラジカル励起原子層プロセス科学

J. Kurokawa, H. Kondo, T. Tsutsumi, K. Ishikawa, M. Sekine, M. Hori, Vacuum 205, 111351 (2022).DOI 10.1016/j.vacuum.2022.111351

研究テーマ2

デバイス信頼性物理

〜原子層での材料・構造劣化の可視化〜
ナノスケールになった半導体デバイスでは，トランジスタや配線でも極めて高い密度の電流や電界が印加され，原子層レベルでの構造的・電気的劣化が発生し，動作不良に繋がります．例えば，プラズマの照射下や，デバイスの動作下（電界や電流の印加）における，デバイス内部での劣化を，走査プローブ顕微鏡や透過型電子顕微によって原子レベルでリアルタイム観察し，そのメカニズムを解明します．

デバイス信頼性物理

A. Seko, Y. Watanabe, H. Kondo, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys.  44, 7582–7587 (2005).
DOI 10.1143/JJAP.44.7582

実績

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